-
Novos compoñentes electrónicos orixinais IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía de canle P MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 23 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 14 A, 10 V... -
Distribuidor de pezas orixinais por xunto de chip IC Circuito integrado IRF8736TRPBF IC Chip
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semicondutores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 30 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 18 A (Ta) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @ 18A, 1... -
Chip IC de compoñentes electrónicos novos e orixinais IRF7103TRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Arrays Fabricante Infineon Technologies Serie HEXFET® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto FET activo Tipo 2 N-Channel (Doble) FET Característica Tensión estándar de drenaxe a fonte (Vdss) 30 V Corriente – Drenaje continuo (Id) @ 25 °C 6,5 A Rds On (Máx) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5,8 A, 10 V Vgs (th) (Máx) @ Id 1 V @ 250 µA Carga de porta (Qg) (Máx... -
IRF7103TRPBF Chip IC de circuíto integrado novo e orixinal IRF7103TRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Arrays Fabricante Infineon Technologies Serie HEXFET® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto FET activo Tipo 2 N-Channel (Doble) FET Característica Tensión estándar de drenaje a fuente (Vdss) 50 V Corriente – Drenaje continuo (Id) @ 25 °C 3 A Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3 A, 10 V Vgs (th) (Max) @ Id 3 V @ 250 µA Carga de Gate (Qg) (Máx.) @... -
IRF7103TRPBF Chip IC de circuíto integrado novo e orixinal IRF7103TRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Arrays Fabricante Infineon Technologies Serie HEXFET® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto FET activo Tipo 2 N-Channel (Doble) FET Característica Tensión estándar de drenaje a fuente (Vdss) 50 V Corriente – Drenaje continuo (Id) @ 25 °C 3 A Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3 A, 10 V Vgs (th) (Max) @ Id 3 V @ 250 µA Carga de Gate (Qg) (Máx.) @... -
IRF4905STRLPBF Servizo de BOM de Chip IC de compoñentes electrónicos novos e orixinais en stock IRF4905STRLPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía de canle P MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 55 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 42 A (Tc) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 42 A, 10V Vg... -
Novos compoñentes electrónicos orixinais IC Chip IRF3205STRLPBF Circuítos integrados
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semicondutores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 55 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 110 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62 A, 10V Vg... -
IRF100S201 Advantage Supply Stock Novo servizo orixinal de chips IC intelixentes BOM para IRF100S201
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (Óxido metálico) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 100 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 192 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 4,2 oh... -
IPW60R099P7 novo orixinal en stock entrega rápida Chip IC compoñentes electrónicos servizo BOM para IPW60R099P7
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Circuitos integrados (CI) Circuitos integrados especializados Fabricante Serie Infineon Technologies - Paquete Estado do produto a granel Documentos activos e medios TIPO DE RECURSOS ENLACE Fichas técnicas IPW60R099P7 Ficha técnica Clasificacións ambientais e de exportación DESCRICIÓN DE ATRIBUTOS ECCN EAR99 HTSUS 895091. 156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Paquete estándar 1 Un circuito integrado... -
IPD135N08N3G Novo circuíto integrado
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Estado do produto Obsoleto Tipo FET Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 80 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 45 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 13,5 mOhm @ 45 A, 10 V Vgs (th) ( Max) @ Id... -
IPD036N04LG Venda quente ICS novo e orixinal con alta calidade
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semicondutores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ 3 paquetes Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (Metal) Óxido) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 40 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 3,6 mOhm @ 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG con transistor de chip de alta calidade, prezo novo e orixinal
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaje continuo (Id) @ 25 °C 27 A (Tc) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 27 A, 10 V...
