orde_bg

produtos

Novos compoñentes electrónicos orixinais IC Chip IRF3205STRLPBF Circuítos integrados

Descrición curta:


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Atributos do produto

TIPO DESCRICIÓN
Categoría Produtos semicondutores discretos

Transistores - FETs, MOSFETs - únicos

Mfr Tecnoloxías Infineon
Serie HEXFET®
Paquete Cinta e bobina (TR)

Cinta de corte (CT)

Digi-Reel®

Estado do produto Activo
Tipo FET Canle N
Tecnoloxía MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 55 V
Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 110A (Tc)
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 10 V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62 A, 10 V
Vgs (th) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ± 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 3247 pF @ 25 V
Característica FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaxe Montaxe en superficie
Paquete de dispositivos do provedor D2PAK
Paquete / Estuche TO-263-3, D²Pak (2 derivacións + pestaña), TO-263AB
Número de produto base IRF3205

Documentos e medios

TIPO DE RECURSOS ENLACE
Fichas técnicas IRF3205(S,L)PbF
Outros documentos relacionados Sistema de numeración de pezas IR
Módulos de formación de produtos Circuítos integrados de alta tensión (controladores de porta HVIC)
Produto destacado Sistemas de procesamento de datos
Folla de datos HTML IRF3205(S,L)PbF
Modelos EDA IRF3205STRLPBF de SnapEDA

IRF3205STRLPBF de Ultra Librarian

Modelos de simulación Modelo Sabre IRF3205SPBF

Clasificacións ambientais e de exportación

ATRIBUTO DESCRICIÓN
Estado RoHS Conforme ROHS3
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estado REACH REACH non afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos adicionais

ATRIBUTO DESCRICIÓN
Outros Nomes IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

Paquete estándar 800

Un transistor é un dispositivo semicondutor que se usa habitualmente en amplificadores ou interruptores controlados electrónicamente.Os transistores son os bloques básicos que regulan o funcionamento dos ordenadores, teléfonos móbiles e todos os demais circuítos electrónicos modernos.

Debido á súa rápida velocidade de resposta e alta precisión, os transistores poden usarse para unha gran variedade de funcións dixitais e analóxicas, incluíndo amplificación, conmutación, regulador de voltaxe, modulación de sinal e oscilador.Os transistores pódense empaquetar individualmente ou nunha área moi pequena que pode albergar 100 millóns ou máis de transistores como parte dun circuíto integrado.

En comparación co tubo electrónico, o transistor ten moitas vantaxes:

Compoñente non ten consumo

Non importa o bo que sexa o tubo, deteriorarase gradualmente debido aos cambios nos átomos do cátodo e ás fugas crónicas de aire.Por razóns técnicas, os transistores tiñan o mesmo problema cando se fabricaron por primeira vez.Con avances nos materiais e melloras en moitos aspectos, os transistores adoitan durar entre 100 e 1.000 veces máis que os tubos electrónicos.

Consume moi pouca enerxía

É só unha décima ou decenas de un do tubo electrónico.Non precisa quentar o filamento para producir electróns libres como o tubo electrónico.Unha radio de transistores só necesita unhas poucas baterías secas para escoitar durante seis meses ao ano, o que é difícil de facer para a radio de tubos.

Non é necesario quentar previamente

Traballa en canto o acendes.Por exemplo, unha radio de transistores apágase en canto se acende, e unha televisión de transistores configura unha imaxe en canto se acende.Os equipos de tubos de baleiro non poden facelo.Despois do arranque, agarda un tempo para escoitar o son, mira a imaxe.Claramente, en militares, medición, gravación, etc., os transistores son moi vantaxosos.

Forte e fiable

100 veces máis fiable que o tubo electrónico, resistencia aos choques, resistencia ás vibracións, que é incomparable ao tubo electrónico.Ademais, o tamaño do transistor é só dunha décima a unha centésima parte do tamaño do tubo de electróns, moi pouca liberación de calor, pódese usar para deseñar circuítos pequenos, complexos e fiables.Aínda que o proceso de fabricación do transistor é preciso, o proceso é sinxelo, o que conduce a mellorar a densidade de instalación dos compoñentes.


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo