-
IPD031N06L3G novo servizo de BOM de chip MCU de compoñentes electrónicos orixinais en stock IPD031N06L3G
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 60 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 100 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 3,1 mOhm @ 100A... -
IMZA65R072M1H Chips IC Transistores Componentes electrónicos Circuito integrado Capacitor IMZA65R072M1H
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semicondutores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies – Tubo envase Estado do produto Tipo FET activo – Tecnoloxía – Corriente – Drenaxe continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx.) On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Función FET - Disipación de potencia (Max) - Temperatura de operación - Número de produto base IMZA6.. . -
Cita Lista de BOM IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Circuito integrado
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Diodos – Rectificadores – Arrays Mfr Infineon Technologies Series Rapid 2 Paquete Tubo Estado do produto Configuración de diodo activo 1 par Tipo de diodo de cátodo común Tensión estándar – DC inversa (Vr) (máx.) 650 V Corriente – Media rectificada ( Io) (por diodo) 15 A Voltaje – Adelante (Vf) (Máx.) @ Se 2,2 V @ 15 A Velocidade Recuperación rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) Recuperación inversa... -
KWM Original nuevo transistor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS chip IC de circuito integrado en stock
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 60 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 40 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20 A, 10 V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip novo circuíto integrado orixinal
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 25 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 6mOhm... -
(STOCK) BSS138NH6327 novo e orixinal produto quente de compoñentes electrónicos
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies SIPMOS® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 60 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 230 mA (Ta) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA... -
Original novo en stock MOSFET transistor diodo tiristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip componente electrónico
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies SIPMOS® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 600 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 120 mA (Ta) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 45 ohm @ 120 mA... -
Novo MOSFET orixinal TDSON-8 BSC0902NSI
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 30 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 2,8 m... -
Novo en stock Circuito integrado TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic Chip
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 6 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 16mOh... -
Circuíto integrado novo e orixinal BSC100N06LS3G
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 60 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 10mOh... -
Compoñente electrónico orixinal BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic Chip
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 100 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G Novo e orixinal chip de circuíto integrado BSC060N10NS3G Atributos do produto
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 6 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 6mOh...
