Novo circuíto integrado orixinal BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5
O nivel lóxico dos MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon son moi axeitados para aplicacións de carga sen fíos, adaptadores e telecomunicacións.A baixa carga de porta (Q g) dos dispositivos reduce as perdas de conmutación sen comprometer as perdas de condución.As figuras de mérito melloradas permiten operacións a altas frecuencias de conmutación.Ademais, a unidade de nivel lóxico proporciona un limiar de porta baixoTensión de retención (V GS(th)) permitindo que os MOSFET se accionen a 5V e directamente desde microcontroladores.
Resumo de características
Low R DS (activado) en paquete pequeno
Carga baixa da porta
Menor carga de saída
Compatibilidade de nivel lóxico
Beneficios
Deseños de maior densidade de potencia
Maior frecuencia de conmutación
Redución do número de pezas onde hai fontes de 5 V dispoñibles
Dirixido directamente desde microcontroladores (conmutación lenta)
Redución de custos do sistema
Parametría
| Parametría | BSZ040N06LS5 |
| Prezo Orzamentario/1k € | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) máx | 101 A |
| IDpuls máx | 404 A |
| Montaxe | SMD |
| Temperatura de operación mín máx | -55 °C 150 °C |
| Pto máx | 69 W |
| Paquete | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Contador de pins | 8 pinos |
| Polaridade | N |
| QG (tipo @4.5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (activado) (@4,5V LL) máx | 5,6 mΩ |
| RDS (activado) (@4,5V) máx | 5,6 mΩ |
| RDS (activado) (@10V) máx | 4 mΩ |
| Rth máx | 1,8 K/W |
| RthJA máx | 62 K/W |
| RthJC máx | 1,8 K/W |
| VDS máx | 60 V |
| VGS(th) mín máx | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
