compoñentes electrónicos Merrill chip novo e orixinal en stock circuíto integrado IC IRFB4110PBF
Atributos do produto
| TIPO | DESCRICIÓN |
| Categoría | Produtos semicondutores discretos |
| Mfr | Tecnoloxías Infineon |
| Serie | HEXFET® |
| Paquete | Tubo |
| Estado do produto | Activo |
| Tipo FET | Canle N |
| Tecnoloxía | MOSFET (óxido metálico) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 100 V |
| Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C | 120A (Tc) |
| Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 10 V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm @ 75 A, 10 V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ± 20 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 9620 pF @ 50 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 370 W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaxe | A través do burato |
| Paquete de dispositivos do provedor | TO-220AB |
| Paquete / Estuche | TO-220-3 |
| Número de produto base | IRFB4110 |
Documentos e medios
| TIPO DE RECURSOS | ENLACE |
| Fichas técnicas | IRFB4110PbF |
| Outros documentos relacionados | Sistema de numeración de pezas IR |
| Módulos de formación de produtos | Circuítos integrados de alta tensión (controladores de porta HVIC) |
| Produto destacado | Robótica e vehículos guiados automatizados (AGV) |
| Folla de datos HTML | IRFB4110PbF |
| Modelos EDA | IRFB4110PBF de SnapEDA |
| Modelos de simulación | Modelo Sabre IRFB4110PBF |
Clasificacións ambientais e de exportación
| ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
| Estado RoHS | Conforme ROHS3 |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estado REACH | REACH non afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
| ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
| Outros Nomes | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Paquete estándar | 50 |
A familia MOSFET de potencia Strong IRFET™ está optimizada para baixa RDS (activado) e capacidade de alta corrente.Os dispositivos son ideais para aplicacións de baixa frecuencia que requiren rendemento e robustez.A carteira completa aborda unha ampla gama de aplicacións, incluíndo motores DC, sistemas de xestión de baterías, inversores e conversores DC-DC.
Resumo de características
Paquete de potencia de orificio pasante estándar da industria
Clasificación de alta corrente
Cualificación do produto segundo a norma JEDEC
Silicio optimizado para aplicacións que cambian por debaixo de <100 kHz
Díodo de corpo máis suave en comparación coa xeración de silicio anterior
Ampla carteira dispoñible
Beneficios
O pinout estándar permite a caída na substitución
Paquete de capacidade de transporte de alta corrente
Nivel de cualificación estándar da industria
Alto rendemento en aplicacións de baixa frecuencia
Aumento da densidade de potencia
Ofrece aos deseñadores flexibilidade para seleccionar o dispositivo máis óptimo para a súa aplicación
Paramétricas
| Parametría | IRFB4110 |
| Prezo Orzamentario/1k € | 1,99 |
| ID (@25°C) máx | 180 A |
| Montaxe | THT |
| Temperatura de operación mín máx | -55 °C 175 °C |
| Pto máx | 370 W |
| Paquete | A-220 |
| Polaridade | N |
| QG (tipo @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (activado) (@10V) máx | 4,5 mΩ |
| RthJC máx | 0,4 K/W |
| Tj máx | 175 °C |
| VDS máx | 100 V |
| VGS(th) mín máx | 3 V 2 V 4 V |
| VGS máx | 20 V |
Produtos semicondutores discretos
Os produtos semicondutores discretos inclúen transistores, díodos e tiristores individuais, así como pequenos conxuntos destes compostos por dous, tres, catro ou algún outro pequeno número de dispositivos similares dentro dun único paquete.Utilízanse máis habitualmente para construír circuítos con tensión ou corrente considerable, ou para realizar funcións de circuíto moi básicas.
