IPD068P03L3G novos compoñentes electrónicos orixinais IC chip MCU servizo BOM en stock IPD068P03L3G
Atributos do produto
TIPO | DESCRICIÓN |
Categoría | Produtos semicondutores discretos |
Mfr | Tecnoloxías Infineon |
Serie | OptiMOS™ |
Paquete | Cinta e bobina (TR) Cinta de corte (CT) Digi-Reel® |
Estado do produto | Activo |
Tipo FET | Canle P |
Tecnoloxía | MOSFET (óxido metálico) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30 V |
Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C | 70A (Tc) |
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 4,5 V, 10 V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 6,8 mOhm @ 70 A, 10 V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2 V @ 150 µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ± 20 V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 100 W (Tc) |
Temperatura de operación | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
Tipo de montaxe | Montaxe en superficie |
Paquete de dispositivos do provedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Estuche | TO-252-3, DPak (2 derivacións + pestaña), SC-63 |
Número de produto base | IPD068 |
Documentos e medios
TIPO DE RECURSOS | ENLACE |
Fichas técnicas | IPD068P03L3 G |
Outros documentos relacionados | Guía de números de peza |
Produto destacado | Sistemas de procesamento de datos |
Folla de datos HTML | IPD068P03L3 G |
Modelos EDA | IPD068P03L3GATMA1 de Ultra Librarian |
Clasificacións ambientais e de exportación
ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
Estado RoHS | Conforme ROHS3 |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estado REACH | REACH non afectado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
Outros Nomes | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Paquete estándar | 2.500 |
Transistor
Un transistor é undispositivo semicondutoradoitabaamplificaroucambiarsinais eléctricos epoder.O transistor é un dos bloques básicos da construción modernaelectrónica.[1]Está composto pormaterial semicondutor, normalmente con polo menos tresterminaispara a conexión a un circuíto electrónico.AVoltaxeouactualaplicado a un par de terminais do transistor controla a corrente a través doutro par de terminais.Debido a que a potencia controlada (de saída) pode ser superior á potencia de control (de entrada), un transistor pode amplificar un sinal.Algúns transistores están empaquetados individualmente, pero atópanse moitos máis incorporadoscircuítos integrados.
austrohúngaro físico Julius Edgar Lilienfeldpropuxo o concepto de atransistor de efecto de campoen 1926, pero nese momento non era posible construír un dispositivo que funcione.[2]O primeiro dispositivo de traballo que se construíu foi atransistor de contacto puntualinventado en 1947 por físicos estadounidensesJohn BardeeneWalter Brattainmentres traballaba baixoWilliam ShockleyásLaboratorios Bell.Os tres compartiron o 1956Premio Nobel de Físicapolo seu logro.[3]O tipo de transistor máis utilizado é otransistor de efecto de campo de óxido metálico-semicondutor(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kahngen Bell Labs en 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaron o campo da electrónica, e abriron o camiño para máis pequenos e máis baratosradios,calculadoras, eordenadores, entre outras cousas.
A maioría dos transistores están feitos de moi purosilicio, e algúns dexermanio, pero ás veces úsanse outros materiais semicondutores.Un transistor pode ter só un tipo de portador de carga, nun transistor de efecto de campo, ou pode ter dous tipos de portadores de carga entransistor de unión bipolardispositivos.En comparación cotubo de baleiro, os transistores son xeralmente máis pequenos e requiren menos potencia para funcionar.Algúns tubos de baleiro teñen vantaxes sobre os transistores a frecuencias de funcionamento moi altas ou tensións de funcionamento elevadas.Moitos tipos de transistores están feitos con especificacións estandarizadas por varios fabricantes.