orde_bg

produtos

IPD068P03L3G novos compoñentes electrónicos orixinais IC chip MCU servizo BOM en stock IPD068P03L3G

Descrición curta:


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Atributos do produto

TIPO DESCRICIÓN
Categoría Produtos semicondutores discretos

Transistores - FETs, MOSFETs - únicos

Mfr Tecnoloxías Infineon
Serie OptiMOS™
Paquete Cinta e bobina (TR)

Cinta de corte (CT)

Digi-Reel®

Estado do produto Activo
Tipo FET Canle P
Tecnoloxía MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 30 V
Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 70A (Tc)
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 6,8 mOhm @ 70 A, 10 V
Vgs (th) (Máx.) @ Id 2 V @ 150 µA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ± 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 7720 pF @ 15 V
Característica FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaxe Montaxe en superficie
Paquete de dispositivos do provedor PG-TO252-3
Paquete / Estuche TO-252-3, DPak (2 derivacións + pestaña), SC-63
Número de produto base IPD068

Documentos e medios

TIPO DE RECURSOS ENLACE
Fichas técnicas IPD068P03L3 G
Outros documentos relacionados Guía de números de peza
Produto destacado Sistemas de procesamento de datos
Folla de datos HTML IPD068P03L3 G
Modelos EDA IPD068P03L3GATMA1 de Ultra Librarian

Clasificacións ambientais e de exportación

ATRIBUTO DESCRICIÓN
Estado RoHS Conforme ROHS3
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estado REACH REACH non afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos adicionais

ATRIBUTO DESCRICIÓN
Outros Nomes IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Paquete estándar 2.500

Transistor

Un transistor é undispositivo semicondutoradoitabaamplificaroucambiarsinais eléctricos epoder.O transistor é un dos bloques básicos da construción modernaelectrónica.[1]Está composto pormaterial semicondutor, normalmente con polo menos tresterminaispara a conexión a un circuíto electrónico.AVoltaxeouactualaplicado a un par de terminais do transistor controla a corrente a través doutro par de terminais.Debido a que a potencia controlada (de saída) pode ser superior á potencia de control (de entrada), un transistor pode amplificar un sinal.Algúns transistores están empaquetados individualmente, pero atópanse moitos máis incorporadoscircuítos integrados.

austrohúngaro físico Julius Edgar Lilienfeldpropuxo o concepto de atransistor de efecto de campoen 1926, pero nese momento non era posible construír un dispositivo que funcione.[2]O primeiro dispositivo de traballo que se construíu foi atransistor de contacto puntualinventado en 1947 por físicos estadounidensesJohn BardeeneWalter Brattainmentres traballaba baixoWilliam ShockleyásLaboratorios Bell.Os tres compartiron o 1956Premio Nobel de Físicapolo seu logro.[3]O tipo de transistor máis utilizado é otransistor de efecto de campo de óxido metálico-semicondutor(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kahngen Bell Labs en 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaron o campo da electrónica, e abriron o camiño para máis pequenos e máis baratosradios,calculadoras, eordenadores, entre outras cousas.

A maioría dos transistores están feitos de moi purosilicio, e algúns dexermanio, pero ás veces úsanse outros materiais semicondutores.Un transistor pode ter só un tipo de portador de carga, nun transistor de efecto de campo, ou pode ter dous tipos de portadores de carga entransistor de unión bipolardispositivos.En comparación cotubo de baleiro, os transistores son xeralmente máis pequenos e requiren menos potencia para funcionar.Algúns tubos de baleiro teñen vantaxes sobre os transistores a frecuencias de funcionamento moi altas ou tensións de funcionamento elevadas.Moitos tipos de transistores están feitos con especificacións estandarizadas por varios fabricantes.


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo