orde_bg

produtos

AQX IRF7416TRPBF Novo e orixinal chip de circuíto integrado IRF7416TRPBF

Descrición curta:


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Atributos do produto

TIPO DESCRICIÓN
Categoría Produtos semicondutores discretos

Transistores - FETs, MOSFETs - únicos

Mfr Tecnoloxías Infineon
Serie HEXFET®
Paquete Cinta e bobina (TR)

Cinta de corte (CT)

Digi-Reel®

Estado do produto Activo
Tipo FET Canle P
Tecnoloxía MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 30 V
Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 10A (Ta)
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 5,6 A, 10 V
Vgs (th) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Vgs (máx.) ± 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Característica FET -
Disipación de potencia (máx.) 2,5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaxe Montaxe en superficie
Paquete de dispositivos do provedor 8-SO
Paquete / Estuche 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm de ancho)
Número de produto base IRF7416

Documentos e medios

TIPO DE RECURSOS ENLACE
Fichas técnicas IRF7416PbF
Outros documentos relacionados Sistema de numeración de pezas IR
Módulos de formación de produtos Circuítos integrados de alta tensión (controladores de porta HVIC)

MOSFET de potencia discreta de 40 V e inferior

Produto destacado Sistemas de procesamento de datos
Folla de datos HTML IRF7416PbF
Modelos EDA IRF7416TRPBF de Ultra Librarian
Modelos de simulación Modelo Sabre IRF7416PBF

Clasificacións ambientais e de exportación

ATRIBUTO DESCRICIÓN
Estado RoHS Conforme ROHS3
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Estado REACH REACH non afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Recursos adicionais

ATRIBUTO DESCRICIÓN
Outros Nomes IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Paquete estándar 4.000

IRF7416

Beneficios
Estrutura celular plana para SOA ampla
Optimizado para a maior dispoñibilidade dos socios de distribución
Cualificación do produto segundo a norma JEDEC
Silicio optimizado para aplicacións que cambian por debaixo de <100 KHz
Paquete de potencia de montaxe en superficie estándar da industria
Capaz de ser soldado por onda
MOSFET de potencia HEXFET de canle P único de -30 V nun paquete SO-8
Beneficios
Conforme RoHS
RDS baixo (activado)
Calidade líder na industria
Clasificación dinámica dv/dt
Cambio rápido
Totalmente avalancha
175 °C Temperatura de funcionamento
MOSFET de canle P

Transistor

Un transistor é undispositivo semicondutoradoitabaamplificaroucambiarsinais eléctricos epoder.O transistor é un dos bloques básicos da construción modernaelectrónica.[1]Está composto pormaterial semicondutor, normalmente con polo menos tresterminaispara a conexión a un circuíto electrónico.AVoltaxeouactualaplicado a un par de terminais do transistor controla a corrente a través doutro par de terminais.Debido a que a potencia controlada (de saída) pode ser superior á potencia de control (de entrada), un transistor pode amplificar un sinal.Algúns transistores están empaquetados individualmente, pero atópanse moitos máis incorporadoscircuítos integrados.

austrohúngaro físico Julius Edgar Lilienfeldpropuxo o concepto de atransistor de efecto de campoen 1926, pero nese momento non era posible construír un dispositivo que funcione.[2]O primeiro dispositivo de traballo que se construíu foi atransistor de contacto puntualinventado en 1947 por físicos estadounidensesJohn BardeeneWalter Brattainmentres traballaba baixoWilliam ShockleyásLaboratorios Bell.Os tres compartiron o 1956Premio Nobel de Físicapolo seu logro.[3]O tipo de transistor máis utilizado é otransistor de efecto de campo de óxido metálico-semicondutor(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kahngen Bell Labs en 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaron o campo da electrónica, e abriron o camiño para máis pequenos e máis baratosradios,calculadoras, eordenadores, entre outras cousas.

A maioría dos transistores están feitos de moi purosilicio, e algúns dexermanio, pero ás veces úsanse outros materiais semicondutores.Un transistor pode ter só un tipo de portador de carga, nun transistor de efecto de campo, ou pode ter dous tipos de portadores de carga entransistor de unión bipolardispositivos.En comparación cotubo de baleiro, os transistores son xeralmente máis pequenos e requiren menos potencia para funcionar.Algúns tubos de baleiro teñen vantaxes sobre os transistores a frecuencias de funcionamento moi altas ou tensións de funcionamento elevadas.Moitos tipos de transistores están feitos con especificacións estandarizadas por varios fabricantes.


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo