Novo MOSFET orixinal TDSON-8 BSC0902NSI con alta calidade ao mellor prezo
Atributos do produto
| TIPO | DESCRICIÓN |
| Categoría | Produtos semicondutores discretos |
| Mfr | Tecnoloxías Infineon |
| Serie | OptiMOS™ |
| Paquete | Cinta e bobina (TR) Cinta de corte (CT) Digi-Reel® |
| Estado do produto | Activo |
| Tipo FET | Canle N |
| Tecnoloxía | MOSFET (óxido metálico) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30 V |
| Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 4,5 V, 10 V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 2,8 mOhm @ 30 A, 10 V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2V @ 10mA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ± 20 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 2,5 W (Ta), 48 W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Montaxe en superficie |
| Paquete de dispositivos do provedor | PG-TDSON-8-6 |
| Paquete / Estuche | 8-PowerTDFN |
| Número de produto base | BSC0902 |
Documentos e medios
| TIPO DE RECURSOS | ENLACE |
| Fichas técnicas | BSC0902NSI |
| Outros documentos relacionados | Guía de números de peza |
| Produto destacado | Sistemas de procesamento de datos |
| Folla de datos HTML | BSC0902NSI |
| Modelos de simulación | MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Modelo |
Clasificacións ambientais e de exportación
| ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
| Estado RoHS | Conforme ROHS3 |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estado REACH | REACH non afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
| ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
| Outros Nomes | BSC0902NSICT-ND SP000854380 BSC0902NSITR-ND BSC0902NSITR BSC0902NSIATMA1DKR BSC0902NSIATMA1CT BSC0902NSICT BSC0902NSIDKR-ND BSC0902NSIATMA1TR BSC0902NSI BSC0902NSIDKR |
| Paquete estándar | 5.000 |
Un transistor é un dispositivo semicondutor que se usa habitualmente en amplificadores ou interruptores controlados electrónicamente.Os transistores son os bloques básicos que regulan o funcionamento dos ordenadores, teléfonos móbiles e todos os demais circuítos electrónicos modernos.
Debido á súa rápida velocidade de resposta e alta precisión, os transistores poden usarse para unha gran variedade de funcións dixitais e analóxicas, incluíndo amplificación, conmutación, regulador de voltaxe, modulación de sinal e oscilador.Os transistores pódense empaquetar individualmente ou nunha área moi pequena que pode albergar 100 millóns ou máis de transistores como parte dun circuíto integrado.
En comparación co tubo electrónico, o transistor ten moitas vantaxes:
1.O compoñente non ten consumo
Non importa o bo que sexa o tubo, deteriorarase gradualmente debido aos cambios nos átomos do cátodo e ás fugas crónicas de aire.Por razóns técnicas, os transistores tiñan o mesmo problema cando se fabricaron por primeira vez.Con avances nos materiais e melloras en moitos aspectos, os transistores adoitan durar entre 100 e 1.000 veces máis que os tubos electrónicos.
2.Consome moi pouca enerxía
É só unha décima ou decenas de un do tubo electrónico.Non precisa quentar o filamento para producir electróns libres como o tubo electrónico.Unha radio de transistores só necesita unhas poucas baterías secas para escoitar durante seis meses ao ano, o que é difícil de facer para a radio de tubos.
3.Non é necesario quentar previamente
Traballa en canto o acendes.Por exemplo, unha radio de transistores apágase en canto se acende, e unha televisión de transistores configura unha imaxe en canto se acende.Os equipos de tubos de baleiro non poden facelo.Despois do arranque, agarda un tempo para escoitar o son, mira a imaxe.Claramente, en militares, medición, gravación, etc., os transistores son moi vantaxosos.
4.Forte e fiable
100 veces máis fiable que o tubo electrónico, resistencia aos choques, resistencia ás vibracións, que é incomparable ao tubo electrónico.Ademais, o tamaño do transistor é só dunha décima a unha centésima parte do tamaño do tubo de electróns, moi pouca liberación de calor, pódese usar para deseñar circuítos pequenos, complexos e fiables.Aínda que o proceso de fabricación do transistor é preciso, o proceso é sinxelo, o que conduce a mellorar a densidade de instalación dos compoñentes.
