AQX IRF7416TRPBF Novo e orixinal chip de circuíto integrado IRF7416TRPBF
Atributos do produto
TIPO | DESCRICIÓN |
Categoría | Produtos semicondutores discretos |
Mfr | Tecnoloxías Infineon |
Serie | HEXFET® |
Paquete | Cinta e bobina (TR) Cinta de corte (CT) Digi-Reel® |
Estado do produto | Activo |
Tipo FET | Canle P |
Tecnoloxía | MOSFET (óxido metálico) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30 V |
Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C | 10A (Ta) |
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 4,5 V, 10 V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5,6 A, 10 V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ± 20 V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 2,5 W (Ta) |
Temperatura de operación | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaxe | Montaxe en superficie |
Paquete de dispositivos do provedor | 8-SO |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm de ancho) |
Número de produto base | IRF7416 |
Documentos e medios
TIPO DE RECURSOS | ENLACE |
Fichas técnicas | IRF7416PbF |
Outros documentos relacionados | Sistema de numeración de pezas IR |
Módulos de formación de produtos | Circuítos integrados de alta tensión (controladores de porta HVIC) |
Produto destacado | Sistemas de procesamento de datos |
Folla de datos HTML | IRF7416PbF |
Modelos EDA | IRF7416TRPBF de Ultra Librarian |
Modelos de simulación | Modelo Sabre IRF7416PBF |
Clasificacións ambientais e de exportación
ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
Estado RoHS | Conforme ROHS3 |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estado REACH | REACH non afectado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
Outros Nomes | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
Paquete estándar | 4.000 |
IRF7416
Beneficios
Estrutura celular plana para SOA ampla
Optimizado para a maior dispoñibilidade dos socios de distribución
Cualificación do produto segundo a norma JEDEC
Silicio optimizado para aplicacións que cambian por debaixo de <100 KHz
Paquete de potencia de montaxe en superficie estándar da industria
Capaz de ser soldado por onda
MOSFET de potencia HEXFET de canle P único de -30 V nun paquete SO-8
Beneficios
Conforme RoHS
RDS baixo (activado)
Calidade líder na industria
Clasificación dinámica dv/dt
Cambio rápido
Totalmente avalancha
175 °C Temperatura de funcionamento
MOSFET de canle P
Transistor
Un transistor é undispositivo semicondutoradoitabaamplificaroucambiarsinais eléctricos epoder.O transistor é un dos bloques básicos da construción modernaelectrónica.[1]Está composto pormaterial semicondutor, normalmente con polo menos tresterminaispara a conexión a un circuíto electrónico.AVoltaxeouactualaplicado a un par de terminais do transistor controla a corrente a través doutro par de terminais.Debido a que a potencia controlada (de saída) pode ser superior á potencia de control (de entrada), un transistor pode amplificar un sinal.Algúns transistores están empaquetados individualmente, pero atópanse moitos máis incorporadoscircuítos integrados.
austrohúngaro físico Julius Edgar Lilienfeldpropuxo o concepto de atransistor de efecto de campoen 1926, pero nese momento non era posible construír un dispositivo que funcione.[2]O primeiro dispositivo de traballo que se construíu foi atransistor de contacto puntualinventado en 1947 por físicos estadounidensesJohn BardeeneWalter Brattainmentres traballaba baixoWilliam ShockleyásLaboratorios Bell.Os tres compartiron o 1956Premio Nobel de Físicapolo seu logro.[3]O tipo de transistor máis utilizado é otransistor de efecto de campo de óxido metálico-semicondutor(MOSFET), que foi inventado porMohamed AtallaeDawon Kahngen Bell Labs en 1959.[4][5][6]Os transistores revolucionaron o campo da electrónica, e abriron o camiño para máis pequenos e máis baratosradios,calculadoras, eordenadores, entre outras cousas.
A maioría dos transistores están feitos de moi purosilicio, e algúns dexermanio, pero ás veces úsanse outros materiais semicondutores.Un transistor pode ter só un tipo de portador de carga, nun transistor de efecto de campo, ou pode ter dous tipos de portadores de carga entransistor de unión bipolardispositivos.En comparación cotubo de baleiro, os transistores son xeralmente máis pequenos e requiren menos potencia para funcionar.Algúns tubos de baleiro teñen vantaxes sobre os transistores a frecuencias de funcionamento moi altas ou tensións de funcionamento elevadas.Moitos tipos de transistores están feitos con especificacións estandarizadas por varios fabricantes.