-
Cita Lista BOM IC IDW30C65D2 Circuito integrado con alta calidade
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Diodos – Rectificadores – Arrays Mfr Infineon Technologies Series Rapid 2 Paquete Tubo Estado do produto Configuración de diodo activo 1 par Tipo de diodo de cátodo común Tensión estándar – DC inversa (Vr) (máx.) 650 V Corriente – Media rectificada ( Io) (por diodo) 15 A Voltaje – Adelante (Vf) (Máx.) @ Se 2,2 V @ 15 A Velocidade Recuperación rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) Recuperación inversa... -
Nuevo transistor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS chip IC de circuito integrado en stock
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 60 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 40 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20 A, 10 V... -
BSZ060NE2LS IC Chip Novo circuíto integrado orixinal con alta calidade ao mellor prezo
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretosTransistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete OptiMOS™ Cinta e bobina (TR)Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 25 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 6mOhm @... -
(STOCK) BSS138NH6327 novo e orixinal produto quente de compoñentes electrónicos
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies SIPMOS® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 60 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 230 mA (Ta) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA... -
Original novo en stock MOSFET transistor diodo tiristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip componente electrónico
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies SIPMOS® Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 600 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 120 mA (Ta) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 45 ohm @ 120 mA... -
Novo MOSFET orixinal TDSON-8 BSC0902NSI con alta calidade ao mellor prezo
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 30 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 2,8 m... -
Novo e orixinal en stock Circuito integrado BSC160N10NS3G Chip Ic con alta calidade
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 6 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 16mOh... -
Circuíto integrado novo e orixinal BSC100N06LS3G con calidade
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 60 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 4,5 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 10mOh... -
Chip IC BSC070N10NS3G ao mellor prezo Compoñente electrónico orixinal con alta calidade
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 100 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
BSC060N10NS3G Chip IC de circuíto integrado novo e orixinal BSC060N10NS3G
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 6 V, 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 6mOh... -
Chip IC de compoñentes electrónicos novos e orixinais de venda en quente BSC016N06NS
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies OptiMOS™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 60 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 30 A (Ta), 100 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 1,6 mOh... -
BFS481H6327 Circuítos integrados Regulación/Xestión de corrente Multiplicadores analóxicos Divisores
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – Bipolares (BJT) – RF Mfr Serie Infineon Technologies – Paquete Cinta e carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Transistor activo Tipo 2 NPN (Doble) Tensión – Colector Desglose do emisor (máx.) 12 V Frecuencia - Transición 8 GHz Figura de ruído (dB Typ @ f) 0,9 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz Ganancia 20 dB Potencia - Max 175 mW Ganancia de corrente continua (hFE) (Min) ...
