-
Chip IC semiconductor de circuíto integrado de compoñentes electrónicos IRFS7440TRLPBF orixinal de fábrica de China á venda
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Paquete Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (Óxido metálico) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 40 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 120 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 2.5... -
Circuitos integrados IRFS3607TRLPBF IC Chip IRFS3607TRLPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 75 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 80 A (Tc) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 46 A, 10V Vgs... -
(Contacto co mellor prezo) IRFR7540TRPBF Compoñentes electrónicos Pezas de circuíto integrado MCU Chips IC IRFR7540TRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete StrongIRFET™ Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 60 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 6 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @66A... -
Circuítos integrados IRFR3504ZTRPBF Contacte o mellor prezo IC Chip IRFR3504ZTRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 40 V – Drenaje continuo (Id) @ 25 °C 42 A (Tc) Tensión de accionamiento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 42 A, 10V Vgs... -
(Contacta co mellor prezo) IRFR220NTRPBF Pezas de compoñentes electrónicos Circuitos integrados MCU Chips IC IRFR220NTRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 200 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 5 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2,9 A , 10 V... -
IRFP4321PBF Partes de compoñentes electrónicos Circuitos integrados Chips IC MCU IRFP4321PBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Serie HEXFET® Paquete Tubo Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) Drenaxe a fonte Tensión (Vdss) Corriente de 150 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 78 A (Tc) Tensión de accionamiento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 15,5 mOhm @ 33 A, 10 V Vgs (th) (Máx) @ Id 5 V @ 250 µA Porta Cha... -
Microcontrolador IRFH5020TRPBF orixinal e novos chips IC de circuíto integrado en stock IRFH5020TRPBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta y bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 200 V – Drenaje continuo (Id) @ 25 °C 5,1 A (Ta) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 7,5 A, 10 V... -
Circuitos integrados IRFH5007TRPBF IC Chip IRFH5007TRPBF ao mellor prezo
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Estado do produto Digi-Reel® Última vez Comprar tipo FET Tecnoloxía N-Channel MOSFET ( Óxido metálico) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 75 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 17 A (Ta), 100 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 5,9 m... -
Novo MOSFET orixinal TO-220-3 IRFB4321PBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Single Mfr International Rectifier Series HEXFET® Package Estado do produto a granel Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) Drenaxe a fonte Tensión (Vdss) Corriente de 150 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 85 A (Tc) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 33 A, 10 V Vgs (th) (Máx) @ Id 5 V @ 250 µA Gate Cha... -
(Contacto co mellor prezo) IRFB4019PBF Compoñentes electrónicos Pezas de circuíto integrado MCU Chips IC IRFB4019PBF
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies – Tubo de paquete Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía de canle N MOSFET (óxido metálico) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 150 V Corriente – Drenaxe continua ( Id) @ 25 °C 17 A (Tc) Tensión de impulsión (Rds máx. activada, Rds mínima activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 10 A, 10 V Vgs (th) (Máx) @ Id 4,9 V @ 50 µA Gate Carga (Qg... -
Compoñentes electrónicos novos e orixinais IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF con alta calidade a prezos competitivos
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semiconductores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía de canle P MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) Corriente de 100 V – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 23 A (Tc) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 14 A, 10 V... -
Distribuidor de pezas orixinais por xunto de chip IC Circuito integrado IRF8736TRPBF IC Chip
Atributos do produto TIPO DESCRICIÓN Categoría Produtos semicondutores discretos Transistores – FET, MOSFET – Fabricante único Serie Infineon Technologies Paquete HEXFET® Cinta e bobina (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Estado do produto Tipo FET activo Tecnoloxía N-Channel MOSFET (óxido metálico) ) Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) 30 V Corriente – Drenaxe continua (Id) @ 25 °C 18 A (Ta) Tensión de accionamento (Rds máx. activada, Rds mín. activada) 4,5 V, 10 V Rds activada (máx.) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @ 18A, 1...
