Original novo en stock MOSFET transistor diodo tiristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip componente electrónico
Atributos do produto
TIPO | DESCRICIÓN |
Categoría | Produtos semicondutores discretos |
Mfr | Tecnoloxías Infineon |
Serie | SIPMOS® |
Paquete | Cinta e bobina (TR) Cinta de corte (CT) Digi-Reel® |
Estado do produto | Activo |
Tipo FET | Canle N |
Tecnoloxía | MOSFET (óxido metálico) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 600 V |
Corriente - Drenaxe continua (Id) @ 25 °C | 120 mA (Ta) |
Tensión de accionamento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 4,5 V, 10 V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 45 ohmios @ 120 mA, 10 V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2,3 V @ 94 µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6,6 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ± 20 V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 1,8 W (Ta) |
Temperatura de operación | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Tipo de montaxe | Montaxe en superficie |
Paquete de dispositivos do provedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Estuche | TO-261-4, TO-261AA |
Número de produto base | BSP125 |
Informar dun erro de información do produto
Ver Similar
Documentos e medios
TIPO DE RECURSOS | ENLACE |
Fichas técnicas | BSP125 |
Outros documentos relacionados | Guía de números de peza |
Produto destacado | Sistemas de procesamento de datos |
Folla de datos HTML | BSP125 |
Modelos de simulación | MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V e 800V N-Channel Spice Model |
Clasificacións ambientais e de exportación
ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
Estado RoHS | Conforme ROHS3 |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Estado REACH | REACH non afectado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Recursos adicionais
ATRIBUTO | DESCRICIÓN |
Outros Nomes | SP001058576 BSP125H6327XTSA1TR BSP125H6327XTSA1CT BSP125H6327XTSA1DKR |
Paquete estándar | 1.000 |
Un transistor é un dispositivo semicondutor que se usa habitualmente en amplificadores ou interruptores controlados electrónicamente.Os transistores son os bloques básicos que regulan o funcionamento dos ordenadores, teléfonos móbiles e todos os demais circuítos electrónicos modernos.
Debido á súa rápida velocidade de resposta e alta precisión, os transistores poden usarse para unha gran variedade de funcións dixitais e analóxicas, incluíndo amplificación, conmutación, regulador de voltaxe, modulación de sinal e oscilador.Os transistores pódense empaquetar individualmente ou nunha área moi pequena que pode albergar 100 millóns ou máis de transistores como parte dun circuíto integrado.
En comparación co tubo electrónico, o transistor ten moitas vantaxes:
Compoñente non ten consumo
Non importa o bo que sexa o tubo, deteriorarase gradualmente debido aos cambios nos átomos do cátodo e ás fugas crónicas de aire.Por razóns técnicas, os transistores tiñan o mesmo problema cando se fabricaron por primeira vez.Con avances nos materiais e melloras en moitos aspectos, os transistores adoitan durar entre 100 e 1.000 veces máis que os tubos electrónicos.
Consume moi pouca enerxía
É só unha décima ou decenas de un do tubo electrónico.Non precisa quentar o filamento para producir electróns libres como o tubo electrónico.Unha radio de transistores só necesita unhas poucas baterías secas para escoitar durante seis meses ao ano, o que é difícil de facer para a radio de tubos.
Non é necesario quentar previamente
Traballa en canto o acendes.Por exemplo, unha radio de transistores apágase en canto se acende, e unha televisión de transistores configura unha imaxe en canto se acende.Os equipos de tubos de baleiro non poden facelo.Despois do arranque, agarda un tempo para escoitar o son, mira a imaxe.Claramente, en militares, medición, gravación, etc., os transistores son moi vantaxosos.
Forte e fiable
100 veces máis fiable que o tubo electrónico, resistencia aos choques, resistencia ás vibracións, que é incomparable ao tubo electrónico.Ademais, o tamaño do transistor é só dunha décima a unha centésima parte do tamaño do tubo de electróns, moi pouca liberación de calor, pódese usar para deseñar circuítos pequenos, complexos e fiables.Aínda que o proceso de fabricación do transistor é preciso, o proceso é sinxelo, o que conduce a mellorar a densidade de instalación dos compoñentes.