orde_bg

produtos

10AX066H3F34E2SG 100% novo e orixinal amplificador de illamento 1 circuíto diferencial 8-SOP

Descrición curta:

Protección contra manipulacións: protección integral do deseño para protexer os seus valiosos investimentos en IP
Seguridade de deseño estándar de cifrado avanzado (AES) de 256 bits mellorada con autenticación
Configuración mediante protocolo (CvP) mediante PCIe Gen1, Gen2 ou Gen3
Reconfiguración dinámica dos transceptores e PLL
Reconfiguración parcial de gran fino do tecido central
Interface serie activa x4

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Atributos do produto

RoHS da UE Conforme
ECCN (EUA) 3A001.a.7.b
Estado da peza Activo
HTS 8542.39.00.01
Automoción No
PPAP No
Apelido Arria® 10 GX
Tecnoloxía de Procesos 20 nm
E/S de usuario 492
Número de rexistros 1002160
Tensión de alimentación de funcionamento (V) 0,9
Elementos lóxicos 660000
Número de multiplicadores 3356 (18 x 19)
Tipo de memoria do programa SRAM
Memoria integrada (Kbit) 42660
Número total de bloques RAM 2133
Unidades lóxicas do dispositivo 660000
Número do dispositivo de DLL/PLL 16
Canles de transceptores 24
Velocidade do transceptor (Gbps) 17.4
DSP dedicado 1678
PCIe 2
Programabilidade Si
Soporte de reprogramabilidade Si
Protección contra copia Si
Programabilidade no sistema Si
Grao de velocidade 3
Estándares de E/S de extremo único LVTTL|LVCMOS
Interface de memoria externa DDR3 SDRAM|DDR4|LPDDR3|RLDRAM II|RLDRAM III|QDRII+SRAM
Tensión de alimentación de funcionamento mínima (V) 0,87
Tensión de alimentación de funcionamento máxima (V) 0,93
Tensión de E/S (V) 1,2|1,25|1,35|1,5|1,8|2,5|3
Temperatura mínima de funcionamento (°C) 0
Temperatura máxima de funcionamento (°C) 100
Grao de temperatura do provedor Estendido
Nome comercial Arria
Montaxe Montaxe en superficie
Altura do paquete 2.63
Ancho do paquete 35
Lonxitude do paquete 35
PCB cambiou 1152
Nome do paquete estándar BGA
Paquete de provedores FC-FBGA
Contador de pins 1152
Forma de chumbo Balón

Tipo de circuíto integrado

En comparación cos electróns, os fotóns non teñen masa estática, interacción débil, forte capacidade anti-interferencia e son máis axeitados para a transmisión de información.Espérase que a interconexión óptica se converta na tecnoloxía central para atravesar o muro de consumo de enerxía, o muro de almacenamento e o muro de comunicación.Os dispositivos de iluminación, acoplador, modulador e guía de onda están integrados nas funcións ópticas de alta densidade, como o microsistema fotoeléctrico integrado, poden realizar a calidade, o volume, o consumo de enerxía da integración fotoeléctrica de alta densidade, a plataforma de integración fotoeléctrica incluíndo III - V composto de semicondutores monolíticos integrados (INP). ) plataforma de integración pasiva, plataforma de silicato ou vidro (guía de ondas ópticas planas, PLC) e plataforma baseada en silicio.

A plataforma InP úsase principalmente para a produción de láser, modulador, detector e outros dispositivos activos, baixo nivel de tecnoloxía, alto custo de substrato;Usando a plataforma PLC para producir compoñentes pasivos, baixa perda, gran volume;O maior problema de ambas plataformas é que os materiais non son compatibles coa electrónica baseada en silicio.A vantaxe máis destacada da integración fotónica baseada en silicio é que o proceso é compatible co proceso CMOS e o custo de produción é baixo, polo que se considera o esquema de integración optoelectrónico e incluso óptico máis potencial.

Existen dous métodos de integración para dispositivos fotónicos baseados en silicio e circuítos CMOS.

A vantaxe do primeiro é que os dispositivos fotónicos e os dispositivos electrónicos pódense optimizar por separado, pero o empaquetado posterior é difícil e as aplicacións comerciais son limitadas.Este último é difícil de deseñar e procesar a integración dos dous dispositivos.Na actualidade, a montaxe híbrida baseada na integración de partículas nucleares é a mellor opción


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo